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二硅化鉬涂層對(duì)碳化硅電熱元件高溫抗氧化性能的影響
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中圖分類(lèi)號(hào):

TQ174.5

基金項(xiàng)目:

Supported by National Nature Science Foundation of China （No. E0224113）


Molybdenum Disilicide Oxidation Protective Coating for Silicon Carbide Heating Element at High-Temperature Condition
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    摘要:

    采用MoSi2粉末自燒結(jié)方法，在SiC電熱元件表面制備一層致密的MoSi2高溫抗氧化涂層，并對(duì)其高溫抗氧化性進(jìn)行測(cè)試?？寡趸囼?yàn)在空氣中1500℃爐溫下進(jìn)行118h和32次熱循環(huán)，結(jié)果表明，帶有MoSi2涂層的試樣表面致密光潔，且試樣抗氧化性能隨MoSi2涂層厚度增加。SEM和EPMA顯微分析表明，MoSi2涂層與SiC基體結(jié)合較好，沒(méi)有起層和剝落，涂層中Mo分布均勻，損失約為20％。

    Abstract:

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引用本文

蘇向東 林蓉 郝維昌 王天民.二硅化鉬涂層對(duì)碳化硅電熱元件高溫抗氧化性能的影響[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(1):123~126.[Su Xiangdong, Lin Rong, Hao Weichang, Wang Tianmin. Molybdenum Disilicide Oxidation Protective Coating for Silicon Carbide Heating Element at High-Temperature Condition[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(1):123~126.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2004-05-08
  • 最后修改日期:2004-08-31
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  • 出版日期: