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Ga雜質(zhì)分布對晶體管V-I特性的影響
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TN305.4

基金項(xiàng)目:

國家自然科學(xué)基金（69976019）


Effects of Distribution of Ga on Transistor''''s V-I Characteristics
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    摘要:

    利用低濃度摻雜-結(jié)深推移-高濃度摻雜設(shè)計(jì)方法形成Ga基區(qū)，制備出NPN晶體管樣品。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論分析表明：Ga的線性緩變分布和SiO2薄膜覆蓋下的擴(kuò)散，大幅度提高了器件耐壓水平與綜合電學(xué)性能：IC-VCE中的負(fù)阻效應(yīng)是由Ga原子表面濃度經(jīng)二次氧化變?yōu)楹谋M狀態(tài)所致，對此，可采用Si3N4/SiO2／Si復(fù)合結(jié)構(gòu)加以改善；總之，開管擴(kuò)鎵是一種制備高壓器件不可比擬的新途徑。

    Abstract:

    Ga base region was formed using low concentration doping-junction depth process-high concentration doping method, and the NPN transistor sample was prepared. The experimental result and the theoretical analysis indicate that the linear slowacting distribution of Ga and diffusion under SiO2 film strongly heighten the withstand voltage level and all round electrical performance; negative-resistance effects in IC-VCE curve is caused by the concentration of Ga of the former surface becoming exhausted state by reoxidation. It can be improved with Si3N4/SiO2/Si composite structure; In brief, tube-open diffusion of Ga is a unexampled new approach to prepare high voltage device.

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    相似文獻(xiàn)
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引用本文

裴素華 黃萍 程文雍. Ga雜質(zhì)分布對晶體管V-I特性的影響[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(12):1884~1887.[Pei Suhua, Huang Ping, Cheng Wenyong. Effects of Distribution of Ga on Transistor''''s V-I Characteristics[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(12):1884~1887.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2005-09-07
  • 最后修改日期:2005-11-21
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