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SiO2-Si界面實現(xiàn)Ga摻雜的研究
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TN305.4

基金項目:

國家自然科學(xué)基金（69976019）資助項目


Essential Investigation of Realizing Ga Doping at Interface of SiO2-Si
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    摘要:

    通過原子力顯微鏡（AFM）、二次離子質(zhì)譜（SIMS）、擴展電阻（SRP）等方法對Ga在SiO2薄層、SiO2-Si界面的擴散特性進行測試表征與機理分析。其結(jié)果表明：源于H2和Ga2O3高溫反應(yīng)新生成的元素Ga，經(jīng)SiO2薄層的快速吸收和輸運，到達SiO2-Si的界面，其吸收-輸流量在確定的擴散條件下正比于摻雜時間；Ga在SiO2-Si界面按照固-固擴散原理和憑借在Si內(nèi)有較高溶解度特性實現(xiàn)了Si體內(nèi)有效擴散；上述兩者的有機結(jié)合，使Ga原子通過理想表面擴入硅體，從而得到高均勻性、高重復(fù)性的擴散結(jié)果。

    Abstract:

    The diffusion characteristics of Ga in SiO2 films and at the interface of SiO2-Si is characterized and analyzed by means of SIMS, SRP and AFM respectively. The results indicate that the new element Ga born of pyroreaction of H2 and Ga2O3 is absorbed rapidly by SiO2 films and reach the interface of SiO2-Si, its absorb-export flux is directly proportional to doping time under a certain condition; Ga diffuses effectively in the Si body according to solid-solid diffusion principle at the interface of SiO2-Si and depend on the higher solubility in Si; by well combination of the too above mentioned, Ga diffused into the Si body through ideal surface and gained diffused result of high homogeneity and high repeatability.

    參考文獻
    相似文獻
    引證文獻
引用本文

裴素華 黃萍 程文雍. SiO2-Si界面實現(xiàn)Ga摻雜的研究[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(11):1797~1799.[Pei Suhua, Huang Ping, Cheng Wenyong. Essential Investigation of Realizing Ga Doping at Interface of SiO2-Si[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(11):1797~1799.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2005-10-15
  • 最后修改日期:2005-10-15
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