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Cd在Cd0．9Zn0．1Te晶體中的有效擴散系數(shù)與擴散激活能
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TB34

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國家自然科學基金項目（10175040）：上海市科委重大項目（03DZ11006）：上海市教委基金（02AK30）


The Effective Diffusion Coefficient and Diffusion Activation Energy of Cd in Cd0.9Zn0.1Te Crystal
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    為了計算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶體中的有效擴散系數(shù)DCd與擴散激活能QCd,利用Cd在CZT晶體中的擴散特性,設計了在不同Cd壓下對CZT的退火實驗,推導出了晶體電阻率與Cd有效擴散系數(shù)之間的函數(shù)關系,經(jīng)過計算,首次獲得了在1073 K,973 K和873 K溫度時Cd原子在CZT晶體中的有效擴散系數(shù)DCd,分別為1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s.將擴散數(shù)據(jù)經(jīng)過擬合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效擴散系數(shù)的表達式2.33×exp(-2.38 eV/kT)(873 K～1073 K),其中擴散激活能QCd為2.38 eV.

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引用本文

劉洪濤 桑文斌 李萬萬 張斌 閔嘉華 詹峰 曹澤淳. Cd在Cd0．9Zn0．1Te晶體中的有效擴散系數(shù)與擴散激活能[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(10):1577~1580.[Liu Hongtao, Sang Wenbin, Li Wanwan, Zhang Bin, Min Jiahua, Zhan Feng, Cao Zechun. The Effective Diffusion Coefficient and Diffusion Activation Energy of Cd in Cd0.9Zn0.1Te Crystal[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(10):1577~1580.]
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歷史
  • 收稿日期:2005-08-31
  • 最后修改日期:2005-08-31
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