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非摻半絕緣砷化鎵中的雜質(zhì)與微缺陷
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中圖分類號:

TN304.23

基金項目:

國家自然科學基金（60276009）;中國人民解放軍總裝備部（00Js02.2.1QT4501）;河北省自然科學基金（599033）資助項目.


Study on Impurity and Micro-Defects of ND-SI-GaAs
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    摘要:

    用化學腐蝕法、金相顯微觀察、透射電鏡（TEM）、電子探針X射線微區(qū)分析（EPMA）和掃描電鏡能譜分析（EDX）等手段，對φ76mm非摻雜（ND）半絕緣砷化鎵（SI-GaAs）單晶中微缺陷、碳的微區(qū)分布進行了分析。結(jié)果表明：在晶體周邊區(qū)域，由高密度位錯運動和反應形成胞狀結(jié)構，該胞狀結(jié)構的本質(zhì)就是晶體結(jié)晶時形成的小角度晶界，且位錯與微缺陷有強烈的相互作用：雜質(zhì)碳在胞壁、近胞壁和完整區(qū)的含量依次降低，存在條紋分布。

    Abstract:

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引用本文

孫衛(wèi)忠 牛新環(huán) 王海云 劉彩池 徐岳生.非摻半絕緣砷化鎵中的雜質(zhì)與微缺陷[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(10):1544~1547.[Sun Weizhong, Niu Xinhuan, Wang Haiyun, Liu Caichi, Xu Yuesheng. Study on Impurity and Micro-Defects of ND-SI-GaAs[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(10):1544~1547.]
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歷史
  • 收稿日期:2005-09-21
  • 最后修改日期:2005-09-21
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