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采用SiC/Si3N4陶瓷先驅(qū)體連接反應(yīng)燒結(jié)SiC
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TG146.4

基金項(xiàng)目:

國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目（50271003）和中國(guó)航空基礎(chǔ)科學(xué)基金資助項(xiàng)目（03H51024）


Joining of Reaction-Bonded Silicon Carbide Using SiC/Si3N4 Preceramic Polymer
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    摘要:

    采用SiC/Si3N4陶瓷先驅(qū)體聚硅氮烷連接反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷,研究了連接溫度、連接壓力、浸漬/裂解增強(qiáng)處理對(duì)連接強(qiáng)度的影響.結(jié)果表明：在1100℃～1400℃溫度范圍內(nèi),連接強(qiáng)度先升高后降低;連接過程中施加適當(dāng)?shù)妮S向壓力可提高連接層致密度;浸漬/裂解增強(qiáng)處理可大幅度提高接頭強(qiáng)度.當(dāng)連接溫度為1300℃,連接壓力為15kPa，經(jīng)3次增強(qiáng)處理的連接件抗彎強(qiáng)度達(dá)最大值169．1MPa。這種連接件的斷口表面粘有大量SiC母材。由XRD研究表明，隨著溫度的逐步升高，聚硅氮烷的裂解產(chǎn)物發(fā)生了由非晶態(tài)向晶態(tài)的轉(zhuǎn)變。微觀結(jié)構(gòu)及成分分析顯示：連接層為厚度2μm-3μm的SiCN無定形陶瓷，其結(jié)構(gòu)較為均勻致密；連接層與基體間界面接合良好。

    Abstract:

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引用本文

劉洪麗 李樹杰 張聽 陳志軍.采用SiC/Si3N4陶瓷先驅(qū)體連接反應(yīng)燒結(jié)SiC[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(9):1469~1472.[Liu HongLi;Li ShuJie;Zhang Ting;Chen ZhiJun. Joining of Reaction-Bonded Silicon Carbide Using SiC/Si3N4 Preceramic Polymer[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(9):1469~1472.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2004-04-26
  • 最后修改日期:2004-10-28
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  • 出版日期: