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采用SiC/Si_3N_4陶瓷先驅(qū)體連接反應(yīng)燒結(jié)SiC
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TQ174.6

基金項(xiàng)目:

國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(50271003)，中國航空基礎(chǔ)科學(xué)基金資助項(xiàng)目(03H51024)


Joining of Reaction-Bonded Silicon Carbide Using SiC/Si_3N_4 Preceramic Polymer
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    摘要:

    采用SiC/Si3N4陶瓷先驅(qū)體聚硅氮烷連接反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷,研究了連接溫度、連接壓力、浸漬/裂解增強(qiáng)處理對連接強(qiáng)度的影響。結(jié)果表明:在1100℃~1400℃溫度范圍內(nèi),連接強(qiáng)度先升高后降低;連接過程中施加適當(dāng)?shù)妮S向壓力可提高連接層致密度;浸漬/裂解增強(qiáng)處理可大幅度提高接頭強(qiáng)度。當(dāng)連接溫度為1300℃,連接壓力為15kPa,經(jīng)3次增強(qiáng)處理的連接件抗彎強(qiáng)度達(dá)最大值169.1MPa。這種連接件的斷口表面粘有大量SiC母材。由XRD研究表明,隨著溫度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解產(chǎn)物發(fā)生了由非晶態(tài)向晶態(tài)的轉(zhuǎn)變。微觀結(jié)構(gòu)及成分分析顯示:連接層為厚度2μm~3μm的SiCN無定形陶瓷,其結(jié)構(gòu)較為均勻致密;連接層與基體間界面接合良好。

    Abstract:

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引用本文

劉洪麗,李樹杰,張聽,陳志軍.采用SiC/Si_3N_4陶瓷先驅(qū)體連接反應(yīng)燒結(jié)SiC[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(9).[Liu Hongli, Li Shujie, Zhang Ting, Chen Zhijun. Joining of Reaction-Bonded Silicon Carbide Using SiC/Si_3N_4 Preceramic Polymer[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(9).]
DOI：[doi]

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