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Gd1-xAlO3：Eux^3＋梯度材料芯片制備及發(fā)光性能
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中圖分類號(hào):

TB43

基金項(xiàng)目:

2005南昌大學(xué)科學(xué)基金項(xiàng)目（組合材料芯片篩選法開發(fā)稀土熒光粉材料Z02901）;2005江兩省教育廳基金項(xiàng)目（組合材料芯片篩選法開發(fā)稀土熒光粉材料Z02810）;自然科學(xué)基金委主任基金資助項(xiàng)目（20151003/B01）;上海市科學(xué)技術(shù)發(fā)展基金資助項(xiàng)目（納米科技專項(xiàng)）（0259nm021）;上?？莆A(chǔ)研究重點(diǎn)項(xiàng)目（02JC14015）


Gd1-xAlO3:Eux3+ Phosphors Material Chip''''s Synthesis and Luminescent Properties
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    摘要:

    將組合材料芯片技術(shù)中梯度組合法應(yīng)用于新型發(fā)光材料Gd1-xAlO3：Eux^3＋（發(fā)光峰豐峰位置為615nm，對(duì)應(yīng)Eu^5D0→^7F2電子躍遷）的激活劑摻雜暈優(yōu)化。獲得如下的研究結(jié)果：在紫外激發(fā)T（254nm）Gd1-xAlO3：Eux^3＋材料中的x值為0．09；Pr共摻雜時(shí)會(huì)降低發(fā)光強(qiáng)度（n（Pr）：n（Eu）〈1：10）。光譜分析表明：Pr，Eu間盧子支持的共振能量傳遞，是Pr降低Gd1-xAlO3：Eux^3＋（簡(jiǎn)寫為：GAP：Eu）發(fā)光強(qiáng)度的豐要原因。優(yōu)化的結(jié)果與檸檬酸鹽硝酸鹽溶膠凝膠法制備粉體摻雜螢優(yōu)化實(shí)驗(yàn)結(jié)果一致。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明組合法在發(fā)光材料開發(fā)中具有高效性。

    Abstract:

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引用本文

羅嵐 劉慶峰 劉茜. Gd1-xAlO3：Eux^3＋梯度材料芯片制備及發(fā)光性能[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(8):1310~1313.[Luo Lan;Liu QingFeng;Liu Qian. Gd1-xAlO3:Eux3+ Phosphors Material Chip''''s Synthesis and Luminescent Properties[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(8):1310~1313.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2004-05-25
  • 最后修改日期:2005-04-30
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