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無定形鈮氧化膜的優(yōu)化生長及機(jī)理分析
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中圖分類號:

TQ135.12 TQ150.41

基金項目:

國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃（863）資助項目（2002AA325120）;國際科技合作重點項目（2003DF000026）


Optimized Growth of Amorphous Nb Oxide Film and Analyses on Its Mechanism
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    摘要:

    鈮是用于制造電解電容器的優(yōu)質(zhì)材料，但在進(jìn)行電解反應(yīng)生長無定形Nb2O5電介質(zhì)膜層的過程中會同時生成2種低價態(tài)的鈮的氧化物（NbO，NbO2），影響了鈮電容器的性能。本研究通過對影響無定形鈮氧化膜生長的各種條件進(jìn)行對比實驗，并就生長機(jī)理進(jìn)行了深入分析，較好地控制了氧化膜中3種氧化物的相對含量，改善了鈮電容器的性能。

    Abstract:

    Niobium is an excellent material used for production of electrolytic capacitor, but when amorphous Nb2O5 dielectric film grows during electrolysis reaction meanwhile two kinds of low valence niobium oxide (NbO2 and NbO) forms, the presence of NbO2 and NbO has bad influence on the performances of niobium capacitor. In this work, through comparative experiments of amorphous film growth condition and analysis on the growth mechanism, the relative contents of three kinds of Nb oxides are well controlled, and performance of Nb capacitor samples has been improved greatly.

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引用本文

李春光 高勇 董寧利.無定形鈮氧化膜的優(yōu)化生長及機(jī)理分析[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(8):1306~1309.[Li ChunGuang;Gao Yong;Dong NingLi. Optimized Growth of Amorphous Nb Oxide Film and Analyses on Its Mechanism[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(8):1306~1309.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2004-12-15
  • 最后修改日期:2004-12-15
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  • 出版日期: