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真空退火對(duì)濺射淀積ZnO：Ga透明導(dǎo)電膜性能的影響
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中圖分類號(hào):

TN304.2 TN304.055

基金項(xiàng)目:

教育部科學(xué)技術(shù)研究重點(diǎn)項(xiàng)目(02165)，博士點(diǎn)基金資助項(xiàng)目(20020422056)


Influence of Vacuum Annealing on Properties of ZnO:Ga Films Prepared by r.f. Magnetron Sputtering
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    摘要:

    采用射頻磁控濺射法在玻璃襯底上低溫制備出了鎵摻雜氧化鋅(ZnO:Ga)透明導(dǎo)電膜,研究了真空退火對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)、電學(xué)和光學(xué)特性的影響。結(jié)果表明:真空退火后,薄膜結(jié)構(gòu)得到明顯改善,電阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在可見光區(qū)的平均透過率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上。

    Abstract:

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    相似文獻(xiàn)
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引用本文

馬瑾,余旭滸,計(jì)峰,王玉恒,張錫健,程傳福,馬洪磊.真空退火對(duì)濺射淀積ZnO：Ga透明導(dǎo)電膜性能的影響[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(7):1166~1168.[Ma Jin, Yu Xuhu, Ji Feng, Wang Yuheng, Zhang Xijian, Cheng Chuanfu, Ma Honglei. Influence of Vacuum Annealing on Properties of ZnO:Ga Films Prepared by r. f. Magnetron Sputtering[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(7):1166~1168.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2004-10-09
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