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磁控共濺射SiC納米顆粒／SiO2基質(zhì)鑲嵌結(jié)構(gòu)薄膜材料的微結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光特性
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TB443

基金項(xiàng)目:

國家自然科學(xué)基金重大研究計(jì)劃資助(90201025;90301002)


Microstructure and Photoluminescence Performances of SiC Nanocrystals Embedded in SiO2 Matrix by Magnetron Co-Sputtering
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    摘要:

    采用二氧化硅／碳化硅復(fù)合靶，用射頻磁控共濺射技術(shù)和后高溫退火的方法在Si(111)襯底上制備了碳化硅納米顆粒／二氧化硅基質(zhì)(nc-SiC／SiO2)鑲嵌結(jié)構(gòu)薄膜材料，用X射線衍射(XRD)，傅里葉紅外吸收(FTIR)，掃描電子顯微鏡(SEM)和光致發(fā)光(PL)實(shí)驗(yàn)分析了薄膜的微結(jié)構(gòu)以及光致發(fā)光特性。結(jié)果表明：樣品薄膜經(jīng)高溫退火后，部分無定形SiC發(fā)生晶化，形成β-SiC納米顆粒而較均勻地鑲嵌在SiO2基質(zhì)中。以280nm波長光激發(fā)薄膜表面，有較強(qiáng)的365nm的紫外光發(fā)射以及458nm和490nm處的藍(lán)光發(fā)射，其發(fā)光強(qiáng)度隨退火溫度的升高顯著增強(qiáng)，發(fā)光歸結(jié)為薄膜中與Si-O相關(guān)的缺陷形成的發(fā)光中心。

    Abstract:

    參考文獻(xiàn)
    相似文獻(xiàn)
    引證文獻(xiàn)
引用本文

石禮偉 李玉國 王強(qiáng) 薛成山 莊惠照.磁控共濺射SiC納米顆粒／SiO2基質(zhì)鑲嵌結(jié)構(gòu)薄膜材料的微結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光特性[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(7):1073~1076.[Shi Liwei, Li Yuguo, Wang Qiang, Xue Chengshan, Zhuang Huizhao. Microstructure and Photoluminescence Performances of SiC Nanocrystals Embedded in SiO2 Matrix by Magnetron Co-Sputtering[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(7):1073~1076.]
DOI：[doi]

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  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2003-11-27
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