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Ga在SiO2／Si系下的擴散模型與分布規(guī)律
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TN305.4

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國家自然科學(xué)基金(69976019)資助項目


Diffusion Model and Distribution Rule of Ga in SiO2/Si System
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    摘要:

    為給出受主雜質(zhì)Ga通過SiO2／Si系統(tǒng)實現(xiàn)開管摻雜過程的模型描述和Si體內(nèi)遵循的主要分布規(guī)律，利用二次離子質(zhì)譜分析(SIMS)、薄層電阻(R□)測量方法，對Ga在SiO2／Si系下的擴散特性、硅表面及體內(nèi)分布進行了系統(tǒng)研究，得出新的結(jié)論：(1)Ga在SiO2中的固溶度較低而擴散系數(shù)很大，故形成線性分布形式，Ga在Si中的溶解度相比SiO2很大，SiO2-Si界面的分凝使其以較高平衡濃度分配入硅中，兩者的連續(xù)確立了開管擴Ga模型。(2)在嚴(yán)格控制硅片溫度TSi、雜質(zhì)源分解溫度TGa2O3、反應(yīng)氣體流量CH3，調(diào)整預(yù)沉積、再分布及其兩者的重復(fù)組合，便可在硅內(nèi)得到任意理想的雜質(zhì)分布；(3)Ga原子是通過理想表面(SiO2-Si界面)擴散入體內(nèi)，避免與外界的接觸沾污，獲得了高均勻性、高重復(fù)性的擴散表面及非常平行的平面結(jié)。

    Abstract:

    Secondary ion mass spectra analysis (SIMS) has been employed to construct the diffusion model of Ga in SiO2/Si system during doping and to study the distribution of Ga in silicon. Based on the above model, conclusions have been drawn as following: (1) Ga has a linear distribution and enters Si due to the segregation of SiO2/Si interface. As a result, the diffusion model of Ga was established. (2) Through controlling the temperature and adjusting the time during pre-deposition, and combination of them, an idea purity distribution can be obtained. (3) The planar junction with high uniformity and good repetition will be obtained by the above process, indicating that Ga has ideally diffused into silicon through the perfect interface.

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    相似文獻(xiàn)
    引證文獻(xiàn)
引用本文

裴素華 張曉華 孫海波 于連英. Ga在SiO2／Si系下的擴散模型與分布規(guī)律[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(6):920~923.[Pei Suhua, Zhang Xiaohua, Sun Haibo, Yu Lianying. Diffusion Model and Distribution Rule of Ga in SiO2/Si System[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(6):920~923.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2004-02-13
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