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厚膜EMI濾波器用X7R介質(zhì)瓷料的研究
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中圖分類號(hào):

TQ174.758 TN713

基金項(xiàng)目:

國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)資助(50172035)


Study on X7R Dielectric Material for Thick Film EMI Filter
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    摘要:

    利用先驅(qū)體NiNb2O6與MnNb2O6摻雜法改性BaTiO3系統(tǒng)。由于2種先驅(qū)體可以有效地起到展寬與移峰效應(yīng),使系統(tǒng)居里峰在室溫附近取得最大值,在1290℃燒結(jié)時(shí)介電常數(shù)達(dá)到5000以上,容量變化率ΔC/C≤±15%;在系統(tǒng)中加入適量助熔劑可以實(shí)現(xiàn)中溫?zé)Y(jié)(1150℃),介電常數(shù)大于3600,容量變化率ΔC/C≤±12%,滿足X7R特性要求,可用于厚膜EMI濾波介質(zhì)瓷料的制備。

    Abstract:

    參考文獻(xiàn)
    相似文獻(xiàn)
    引證文獻(xiàn)
引用本文

李玲霞,郭煒,吳霞宛,王洪儒,張志萍,余昊明.厚膜EMI濾波器用X7R介質(zhì)瓷料的研究[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(5):764~767.[Li Lingxia, Guo Wei, Wu Xiawan, Wang Hongru, Zhang Zhiping, Yu Haoming. Study on X7R Dielectric Material for Thick Film EMI Filter[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(5):764~767.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2004-04-19
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