最新色国产精品精品视频,中文字幕日韩一区二区不卡,亚洲有码转帖,夜夜躁日日躁狠狠久久av,中国凸偷窥xxxx自由视频

+高級(jí)檢索
氨化硅基Ga2O3／Al2O3制備GaN薄膜性質(zhì)研究
DOI:
作者:
作者單位:

作者簡介:

通訊作者:

中圖分類號(hào):

TN304

基金項(xiàng)目:

國家自然科學(xué)基金重大研究計(jì)劃(90201025)和國家自然科學(xué)基金(60071006)資助項(xiàng)目


Characteristics of GaN Film Prepared by Ammoniating Ga2O3/Al2O3 Deposited on Si(111) Substrate
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 圖/表
    • |
  • 訪問統(tǒng)計(jì)
    • |
  • 參考文獻(xiàn)
    • |
  • 相似文獻(xiàn)
    • |
  • 引證文獻(xiàn)
    • |
  • 資源附件
    • |
  • 文章評(píng)論
    摘要:

    研究了Ga2O3／Al2O3膜反應(yīng)自組裝制備GaN薄膜。首先利用磁控濺射法在硅襯底上制備Ga2O3／Al2O3膜，再將Ga2O3／Al2O3膜在高純氨氣氣氛中氨化反應(yīng)得到GaN薄膜。用傅里葉紅外譜儀(FTIR)，X射線衍射(XRD)和掃描電鏡(SEM)對(duì)試樣進(jìn)行結(jié)構(gòu)、組分和形貌分析。通過分析薄膜各方面的性質(zhì)，得出了用此方法制備氮化鎵薄膜的Al2O3緩沖層最佳的厚度為15nm左右，最佳氨化條件是在900℃下氨化15min。

    Abstract:

    參考文獻(xiàn)
    相似文獻(xiàn)
    引證文獻(xiàn)
引用本文

魏芹芹 薛成山 孫振翠 莊惠照 王書運(yùn).氨化硅基Ga2O3／Al2O3制備GaN薄膜性質(zhì)研究[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(5):746~749.[Wei Qinqin, Xue Chengshan, Sun Zhencui, Zhuang Huizhao, Wang Shuyun. Characteristics of GaN Film Prepared by Ammoniating Ga2O3/Al2O3 Deposited on Si(111) Substrate[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(5):746~749.]
DOI：[doi]

復(fù)制
文章指標(biāo)
  • 點(diǎn)擊次數(shù):
  • 下載次數(shù):
  • HTML閱讀次數(shù):
  • 引用次數(shù):
歷史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2003-11-04
  • 錄用日期:
  • 在線發(fā)布日期:
  • 出版日期: