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脈沖直流PCVD技術(shù)在盲孔底部沉積Ti-Si-N薄膜
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中圖分類號:

TG174.44

基金項目:

國家“863”高技術(shù)項目(2001AA338010)，國家自然科學基金項目(50271053)，教育部博士點基金項目(20020698016)


Deposition of Ti-Si-N Thin Films at the Bottom of Deep Hole by Pulsed-D.C. PCVD
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    摘要:

    用脈沖直流等離子體輔助化學氣相沉積(PCVD)技術(shù)在盲孔的底部獲得Ti-Si-N薄膜。用掃描電子顯微鏡(SEM)，X射線能量色散譜儀(EDX)，X射線衍射儀(XRD)，球痕法(ball-Crater)，顯微硬度計(Hv)和涂層壓入儀(Pε)分析不同肓孔深度處薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和力學性能。結(jié)果表明，隨著盲孔深度的增加，Ti-Si-N薄膜中Ti與Si元素相對比例降低，薄膜厚度下降，薄膜與基體的結(jié)合強度有很大提高，膜基復(fù)合顯微硬度下降，而薄膜的本征硬度在盲孔深度為20mm處出現(xiàn)最大值。

    Abstract:

    Ti-Si-N thin films prepared by pulsed-d.c. PCVD on the surface of HSS substrates, which were bolted with one end of deep holes to simulate the condition of complex-shaped inter-surface of various moulds and dies, were investigated. The micrographs show that the surface morphologies of the films become smoother with the increase of the depths of the holes. The thickness and hardness of the films decrease with the increase of the depth of the hole, which may result from the change of the composition of the films, while the adhesion between the films and substrates show an increase.

    參考文獻
    相似文獻
    引證文獻
引用本文

馬青松 馬勝利 徐可為.脈沖直流PCVD技術(shù)在盲孔底部沉積Ti-Si-N薄膜[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(5):738~741.[Ma Qingsong, Ma Shengli, Xu Kewei. Deposition of Ti-Si-N Thin Films at the Bottom of Deep Hole by Pulsed-D. C. PCVD[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(5):738~741.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2003-10-13
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