TG148
用熔滲反應(yīng)無壓燒結(jié)技術(shù)制備了MoSi2-SiC復(fù)合材料,對制備過程的影響因素進(jìn)行了分析。研究結(jié)果表明:在滲硅溫度為1450℃時(shí),反應(yīng)生成顆粒細(xì)小、彌散分布的SiC相,從而使得材料具有較高的抗彎強(qiáng)度;當(dāng)滲硅溫度升高至1750℃時(shí),生成的SiC相發(fā)生再結(jié)晶長大,使得材料強(qiáng)度下降。成型壓力對熔滲硅樣品強(qiáng)度影響不大。MoSi2-SiC復(fù)合材料的抗彎強(qiáng)度隨SiC相含量的增加在增強(qiáng)相含量為40%時(shí)存在一極大值,這是由于當(dāng)SiC數(shù)量超過40%后,SiC粒子的團(tuán)聚、長大使彌散強(qiáng)化作用降低,從而使材料的斷裂強(qiáng)度降低;復(fù)合材料電阻率隨第二相含量的增加而增加。
張小立 呂振林 金志浩.熔滲反應(yīng)法制備MoSi2-SiC復(fù)合材料性能的影響因素[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(4):639~642.[. Influence Factor of MoSi2-SiC Composites Synthesised by Reactive Infiltration Processing[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(4):639~642.]DOI:[doi]
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