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Zr-Si-N擴(kuò)散阻擋層及其熱穩(wěn)定性的研究
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TG146.4

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國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(59931010)和教育部骨干教師計(jì)劃項(xiàng)目資助


The Study of Zr-Si-N Diffusion Barrier and Its Thermal Stability
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    摘要:

    用反應(yīng)磁控濺射法在不同偏壓下沉積了Zr-Si-N擴(kuò)散阻擋層,結(jié)果表明:Zr-Si-N膜的Si含量、電阻率隨偏壓的升高而降低;Zr-Si-N膜的晶體相隨濺射偏壓的升高而增加;Zr-Si-N擴(kuò)散阻擋層的熱穩(wěn)定性高,在850℃時(shí)仍能有效阻擋Cu的擴(kuò)散.

    Abstract:

    Zr-Si-N diffusion barrier films were deposited by reactive magnetron sputtering with different negative bias. The results reveal that the Si content and resistivity of the Zr-Si-N films decrease as negative bias increases. The crystalline phase increases with the increase of negative bias. The thermal stability of Zr-Si-N diffusion barrier was so good that Zr-Si-N diffusion barrier can effectively prevent from the diffusion of Cu.

    參考文獻(xiàn)
    相似文獻(xiàn)
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引用本文

宋忠孝 丁黎 徐可為 陳華. Zr-Si-N擴(kuò)散阻擋層及其熱穩(wěn)定性的研究[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(3):459~462.[Song Zhongxiao, Ding Li, Xu Kewei, Cheng Hua. The Study of Zr-Si-N Diffusion Barrier and Its Thermal Stability[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(3):459~462.]
DOI:[doi]

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  • 最后修改日期:2003-08-25
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