最新色国产精品精品视频,中文字幕日韩一区二区不卡,亚洲有码转帖,夜夜躁日日躁狠狠久久av,中国凸偷窥xxxx自由视频

+高級(jí)檢索
氨化Si基Ga2O3／Al2O3制備GaN薄膜
DOI:
作者:
作者單位:

作者簡介:

通訊作者:

中圖分類號(hào):

TN304

基金項(xiàng)目:

國家自然科學(xué)基金重大研究計(jì)劃資助(90201025);國家自然科學(xué)基金資助(60071006)


Formation of GaN Film by Ammoniating Ga2O3/Al2O3 Deposited on Si(111) Substrate
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 圖/表
    • |
  • 訪問統(tǒng)計(jì)
    • |
  • 參考文獻(xiàn)
    • |
  • 相似文獻(xiàn)
    • |
  • 引證文獻(xiàn)
    • |
  • 資源附件
    • |
  • 文章評(píng)論
    摘要:

    研究了Ga2O3／Al2O3膜反應(yīng)自組裝制備GaN薄膜。首先利用磁控濺射法在硅襯底上制備Ga2O3／Al2O3膜，再將Ga2O3／Al2O3膜在高純氨氣氣氛中氨化反應(yīng)得到了GaN薄膜。用X射線衍射(XRD)，X光光電子能譜(XPS)、掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)和熒光光譜(PL)對(duì)樣品進(jìn)行結(jié)構(gòu)、組分、形貌和發(fā)光特性的分析。測(cè)試結(jié)果表明：用此方法得到了六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN晶體膜。

    Abstract:

    Gallium nitride (GaN) films have been successfully fabricated on silicon (111) substrates through ammoniating Ga2O3/Al2O3 films deposited by rf magnetron sputtering. The formed films were characterized by Fourier transform infrared (FTIR) transmission spectroscopy, X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) , scanning electron microscopy (SEM) and photoluminescence spectrum(PL). The results indicate that the films formed are polycrystalline GaN with hexagonal wurtzite structure.

    參考文獻(xiàn)
    相似文獻(xiàn)
    引證文獻(xiàn)
引用本文

魏芹芹 薛成山 孫振翠 曹文田 莊惠照.氨化Si基Ga2O3／Al2O3制備GaN薄膜[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(2):312~315.[Wei Qinqin, Xue Chengshan, Sun Zhencui, Cao Wentian, Zhuang Huizhao. Formation of GaN Film by Ammoniating Ga2O3/Al2O3 Deposited on Si(111) Substrate[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(2):312~315.]
DOI：[doi]

復(fù)制
文章指標(biāo)
  • 點(diǎn)擊次數(shù):
  • 下載次數(shù):
  • HTML閱讀次數(shù):
  • 引用次數(shù):
歷史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2003-05-28
  • 錄用日期:
  • 在線發(fā)布日期:
  • 出版日期: