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低壓化學氣相沉積法制備ZnSe多晶及其性能研究
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Fabrication of Polycrystalline ZnSe by Chemical Vapor Deposition and Its Properties
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    以單質Zn，Se和H2為原料，采用低壓化學氣相沉積方法在溫度為630℃～750℃，壓力為300Pa～1000Pa條件下制備出了性能優(yōu)異的ZnSe多晶材料。性能測試表明，制備出的CVDZnSe多晶材料在0．55μm～22μm，及8μm～14μm波段的平均透過率超過70％(1mm厚)，在3．39μm處的應力雙折射為54nm／cm。其光學透過性能與美國采用Zn和H2Se氣體為原料制備出的CVD ZnSe多晶非常接近。

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引用本文

周育先 方珍意 潘偉 楊曜源 張力強 王向陽 肖紅濤.低壓化學氣相沉積法制備ZnSe多晶及其性能研究[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(2):306~308.[Zhou Yuxian, Fang Zhenyi, Pan Wei, Yang Yaoyuan, Zhang Liqiang, Wang Xiangyang, Xiao Hongtao. Fabrication of Polycrystalline ZnSe by Chemical Vapor Deposition and Its Properties[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(2):306~308.]
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  • 最后修改日期:2003-06-17
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