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Cu-Zr／ZrN薄膜體系的電阻率和納米壓入研究
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中圖分類號(hào):

TG111.6 TG146.1

基金項(xiàng)目:

國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(59931010)


Characterization of the Resistivity and Nanoindentation Hardness of Cu-Zr/ZrN Films
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    摘要:

    采用磁控濺射方法在Si(111)基片上沉積Cu-Zr／ZrN薄膜體系作為擴(kuò)散阻擋層。通過(guò)比較Cu-Zr／ZrN薄膜體系和三元非晶(Mo，Ta，W)-Si-N的電阻率，同時(shí)比較Cu-Zr／ZrN薄膜體系和Ta，TaN的硬度，說(shuō)明作為擴(kuò)散阻擋層的材料的選取，應(yīng)從整體性能上考慮，而不能僅僅考慮熱穩(wěn)定性等單一指標(biāo)。

    Abstract:

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引用本文

白宣羽 汪淵 徐可為. Cu-Zr／ZrN薄膜體系的電阻率和納米壓入研究[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(2):259~262.[Bai Xuanyu, Wang Yuan, Xu Kewei. Characterization of the Resistivity and Nanoindentation Hardness of Cu-Zr/ZrN Films[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(2):259~262.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2003-11-26
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