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氫退火注碳外延硅發(fā)光特性研究
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TN304.13

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Photoluminescence Properties of C~+ Implanted Epitaxial Si Annealed in Hydrogen Ambience
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    摘要:

    外延硅經(jīng)過碳注入、氫氣氛下高溫退火和電化學(xué)腐蝕相繼處理之后，發(fā)出位于431nm左右的藍色熒光峰。隨電化學(xué)腐蝕條件的增強，藍色熒光峰先變強后消失，并出現(xiàn)位于716nm處的紅光峰。樣品中隨碳注入而注入的雜質(zhì)C=O復(fù)合體鑲嵌在退火過程所形成的納米硅顆粒的表面，形成典型的納米硅鑲嵌結(jié)構(gòu)。正是這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了藍光發(fā)射。

    Abstract:

    Blue luminescence at about 431nm is obtained from epitaxial silicon after sequential processing of C+ implantation, annealing in hydrogen ambience and chemical etching. With the increase of chemical etching, the blue peak was enhanced at first, decreased then and substituted by a red peak at last. C=O compounds induced during C+ implantation are embedded in the surface of nanometer Si formed during annealing, and nanometer silicon with embedded structure is formed at last, which contributes to the blue emission.

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引用本文

王強 李玉國 石禮偉 薛成山.氫退火注碳外延硅發(fā)光特性研究[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(2):256~258.[Wang Qiang, Li Yuguo, Shi Liwei, Xue Chengshan. Photoluminescence Properties of C~+ Implanted Epitaxial Si Annealed in Hydrogen Ambience[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(2):256~258.]
DOI：[doi]

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  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2003-06-13
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