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真空熒光顯示屏陣列材料氧化過(guò)程的研究
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中圖分類(lèi)號(hào):

TN105

基金項(xiàng)目:

北京市自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(20120008)


Study on Oxidation Process of Array Material Used in Vacuum Fluorescent Display
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    摘要:

    研究了真空熒光顯示屏陣列材料FeNi42Cr6合金在高溫濕氫氣氛中的氧化行為。其氧化過(guò)程為：首先形成Cr2O3，然后(Fe,Mn)Cr2O4氧化物形核、生長(zhǎng)，形成完整氧化膜，成熟氧化膜由顆粒狀剛玉型氧化物Cr2O3和塊狀尖晶石型(Fe,Mn)Cr2O4氧化物組成。實(shí)驗(yàn)同時(shí)表明，陣列板電阻率隨氧化膜厚度增加而增大，電阻率過(guò)高會(huì)導(dǎo)致與之焊接的Ni絲熔斷，氧化膜厚度應(yīng)控制在1μm～2μm。借助掃描電鏡、X射線衍射研究了氧化時(shí)間、氫氣流量、氫氣露點(diǎn)等工藝參數(shù)對(duì)陣列板氧化增重、氧化膜相結(jié)構(gòu)及、氧化膜表面形貌的影響。得出氧化溫度為950℃，時(shí)間40min～60min，氫氣露點(diǎn)(dp)35℃，流量8L／mm為最佳陣列材料氧化工藝。

    Abstract:

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引用本文

耿志挺 張榮 馬莒生 蔡凱紅.真空熒光顯示屏陣列材料氧化過(guò)程的研究[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(1):150~153.[Geng Zhiting, Zhang Rong, Ma Jusheng, Cai Kaihong. Study on Oxidation Process of Array Material Used in Vacuum Fluorescent Display[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(1):150~153.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2003-06-06
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