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Al焊盤表面氧化膜對金絲鍵合的影響
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TN304.1

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Influences of Surface Oxide Films of Aluminum Bondpads on Gold Wire Bonding
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    摘要:

    在半導(dǎo)體制造工藝中,Al焊盤表面的氧化膜會阻礙金絲鍵合。針對某公司新半導(dǎo)體工藝中出現(xiàn)鍵合失效問題的芯片,采用SEM,EDS和AES對切片前后的芯片進(jìn)行了分析,結(jié)果發(fā)現(xiàn),切片前后Al焊盤表面的元素成分基本一致。可以認(rèn)為清洗工藝對金絲鍵合基本沒有影響,它不是導(dǎo)致金絲鍵合失效的原因;通過AES對焊盤進(jìn)行深度剖析,在深度接近Al焊盤高度的一半時,氧的含量仍然高達(dá)40%左右,如此高含量的氧已經(jīng)足以將Al完全氧化,其所形成的氧化膜阻礙了金絲鍵合所必需的金屬連接和擴(kuò)散過程,從而導(dǎo)致鍵合質(zhì)量差,甚至無法實現(xiàn)鍵合。

    Abstract:

    During semiconductor manufacturing, the gold wire bonding is influenced by the native Al oxide film, and Au wire could not bond to Al bondpad.In this paper, SEM, EDS and AES are used to investigate the bondpads. It's found that the elements on the surface of Al bondpads after sawing are consistent with those of before sawing. So swilling techniques does not affect the wire bonding. The AES results show that there is 40% O element in Al bondpads even though at the depth of half of the Al bondpad height. Consequently, Al has already been oxidized by O. The Al oxide film which can prevent the bonding and the diffusion of O to Al causes the failure of wire bonding.

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    相似文獻(xiàn)
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引用本文

陳國海 劉豫東 馬莒生. Al焊盤表面氧化膜對金絲鍵合的影響[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(1):143~145.[Chen Guohai, LiuYudong, Ma Jusheng. Influences of Surface Oxide Films of Aluminum Bondpads on Gold Wire Bonding[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(1):143~145.]
DOI:[doi]

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  • 最后修改日期:2003-05-16
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