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MOCVD Ir薄膜的制備與沉積效果分析
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TG146.4

基金項(xiàng)目:

國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)項(xiàng)目(2002AA305306)


Preparation of Iridium Films by MOCVD and Deposition Effectiveness Analysis
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    摘要:

    在不通入活性氣體的條件下，采用三乙酰丙酮銥金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積方法制備銥薄膜。結(jié)果表明：低于190℃長(zhǎng)時(shí)間加熱使先驅(qū)體分子結(jié)構(gòu)改變，其C-H和C-O鍵斷裂活性升高，導(dǎo)致沉積薄膜中含有顯著數(shù)量的碳雜質(zhì)；高于220℃加熱先驅(qū)體和550℃沉積，可獲得致密連續(xù)、無雜質(zhì)碳并且呈亮銀白色的銥薄膜。

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引用本文

華云峰,陳照峰,張立同,成來飛. MOCVD Ir薄膜的制備與沉積效果分析[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(1):139~142.[Hua Yunfeng, Chen Zhaofeng, Zhang Litong, Cheng Laifei. Preparation of Iridium Films by MOCVD and Deposition Effectiveness Analysis[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(1):139~142.]
DOI：[doi]

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  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2003-05-16
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