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坩堝石墨化度對SiC單晶生長過程的影響
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O613.71 O613.72

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Effect of Graphitization Degree of Crucible on SiC Single Crystal Growth Process
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    摘要:

    研究了用改進(jìn)Lely法制備SiC單晶的過程中坩堝石墨化度對物質(zhì)傳輸和晶體生長速度的影響。在不同溫度下進(jìn)行石墨化處理得到了實(shí)驗(yàn)所用的坩堝。用XRD方法定量測定了晶體生長前坩堝的石墨化度，并用SEM分析了晶體生長后坩堝內(nèi)壁的反應(yīng)情況。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，石墨坩堝在SiC晶體生長過程中是一個非常重要的碳源提供者：當(dāng)坩堝的石墨化程度較低時，晶體的生長速度快，生長速度由生長溫度所控制；隨著坩堝石墨化程度的提高，晶體生長速度減慢并由坩堝石墨化度所控制；當(dāng)石墨化度進(jìn)一步提高的時候，籽晶被碳化，晶體不能正常生長。

    Abstract:

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    引證文獻(xiàn)
引用本文

劉軍林 高積強(qiáng) 程基寬 楊建峰 喬冠軍.坩堝石墨化度對SiC單晶生長過程的影響[J].稀有金屬材料與工程,2005,34(12):1944~1947.[Liu Junlin, Gao Jiqiang, Cheng Jikuan, Yang Jianfeng, Qiao Guanjun. Effect of Graphitization Degree of Crucible on SiC Single Crystal Growth Process[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(12):1944~1947.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2005-03-14
  • 最后修改日期:2005-03-14
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