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高溫氨化Ga2O3形成GaN粉末
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中圖分類號(hào):

TN304

基金項(xiàng)目:

國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(90201025,60071006)


Synthesis of Gallium Nitride(GaN)Powder by Ammoniating Ga2O3 under High Temperature
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    摘要:

    采用NH3為N源，以Ga2O3粉末為Ga源高溫氨化形成GaN粉末。用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、選擇區(qū)電子衍射(SAED)對(duì)粉末進(jìn)行結(jié)構(gòu)、形貌分析。結(jié)果表明：當(dāng)Ga源溫度為850℃時(shí)得到六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN晶體顆粒。

    Abstract:

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引用本文

孫振翠 曹文田 魏芹芹 薛成山.高溫氨化Ga2O3形成GaN粉末[J].稀有金屬材料與工程,2004,33(8):861~863.[Sun Zhencui, Cao Wentian, Wei Qinqin, Xue Chenshan. Synthesis of Gallium Nitride(GaN)Powder by Ammoniating Ga2O3 under High Temperature[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2004,33(8):861~863.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2003-01-08
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