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用輪番濺射工藝在多靶磁控濺射設(shè)備上制備了SmCo薄膜。通過(guò)改變Sm，Co純金屬靶的濺射時(shí)間間隔和濺射功率來(lái)調(diào)整薄膜的化學(xué)成分和均勻性。實(shí)驗(yàn)表明，可以通過(guò)調(diào)整濺射電流來(lái)優(yōu)化薄膜的化學(xué)成分。沿垂直膜面俄歇電子(AES)逐層分析證明，優(yōu)化濺射工藝制備的薄膜化學(xué)成分分布均勻。電子衍射表明薄膜濺射態(tài)為非晶結(jié)構(gòu)，經(jīng)過(guò)400℃退火處理，薄膜開(kāi)始晶化。VSM分析表明濺射態(tài)的薄膜為軟磁特征。晶化后的薄膜表現(xiàn)為硬磁特征，450℃退火時(shí)薄膜的矯頑力最大，達(dá)80320A／m。薄膜呈現(xiàn)一定的各向異性。