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氨化合成一維GaN納米線(xiàn)
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中圖分類(lèi)號(hào):

TN304

基金項(xiàng)目:

國(guó)家自然科學(xué)基金重大研究計(jì)劃(90201025)，國(guó)家自然科學(xué)基金(60071006)資助項(xiàng)目


Synthesis of One-Dimensional GaN Nanowires by Ammoniating
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    摘要:

    用氨化濺射Ga2O3薄膜的方法，成功地合成了一維GaN納米線(xiàn)。用X射線(xiàn)衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)和高分辨電鏡(HRTEM)對(duì)樣品進(jìn)行了分析。生成的GaN納米線(xiàn)平直光滑，其直徑為20nm～90nm，長(zhǎng)可達(dá)50μm；納米線(xiàn)為高質(zhì)量的單晶六方纖鋅礦GaN，沿[110]方向生長(zhǎng)。用此工藝制備GaN納米線(xiàn)，避免了在制備過(guò)程中引入雜質(zhì)，合成的納米線(xiàn)純度較高。

    Abstract:

    參考文獻(xiàn)
    相似文獻(xiàn)
    引證文獻(xiàn)
引用本文

王顯明 楊利 王翠梅 薛成山.氨化合成一維GaN納米線(xiàn)[J].稀有金屬材料與工程,2004,33(6):670~672.[Wang Xianming, Yang Li, Wang Cuimei, Xue Chengshan. Synthesis of One-Dimensional GaN Nanowires by Ammoniating[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2004,33(6):670~672.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2002-12-10
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