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V2O5熔化成膜法制備VO2薄膜
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TB34

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VO2 Thin Films Prepared by V2O5 Melting Formation Thin Films Method
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    摘要:

    發(fā)展了一種新的VO2薄膜制備方法—V2O5熔化成膜法，其基本步驟為：基片預(yù)處理—涂粉—熔化成膜—真空退火—VO2薄膜。采用XRD和XPS等手段，對所得薄膜的物相組成與價(jià)態(tài)進(jìn)行了分析，同時(shí)對薄膜進(jìn)行了電阻隨溫度變化的測試。結(jié)果表明：通過該方法獲得的薄膜，其主要成分是VO2，電阻突變達(dá)到4個(gè)數(shù)量級，相變溫度為67．5℃。

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引用本文

馬紅萍 徐時(shí)清. V2O5熔化成膜法制備VO2薄膜[J].稀有金屬材料與工程,2004,33(3):317~320.[Ma Hongping, Xu Shiqing . VO2 Thin Films Prepared by V2O5 Melting Formation Thin Films Method[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2004,33(3):317~320.]
DOI：[doi]

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  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2002-08-31
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