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鈦酸鋇中的硼間隙及其對PTCR效應(yīng)的影響
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中圖分類號:

TQ174.75

基金項目:

國家“863”計劃(2001AA325010)，國家自然基金資助(59995523)


Boron Interstitial in BaTiO_3 and Its Influence on PTCR Effect
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    摘要:

    通過B2O3蒸汽摻雜，鈦酸鋇晶胞膨脹，表明硼離子可以進(jìn)入鈦酸鋇晶格中形成硼間隙。B2O3蒸汽摻雜使含Y鈦酸鋇陶瓷室溫電阻率下降，升阻比提高。同樣的燒結(jié)條件下，鈦酸鋇陶瓷的PTCR效應(yīng)隨B2O3蒸汽摻雜源的濃度升高而升高。硼間隙和／或相關(guān)缺陷絡(luò)合物可以形成電子捕獲中心，從而提高PTCR效應(yīng)。

    Abstract:

    Vapor doping affects the PTCR effect in BaTiO3 ceramics distinctly. Doping B2O3 vapor in BaTiO3 results in the expanding of the grain lattice cell. Thus, boron interstitial may get into BaTiO3 grain lattice. The room temperature resistance of Y-BaTiO3 decreases and the PTCR effect increases distinctly through the doping of B2O3 vapor. Given the same sintering condition, doping with higher level of the vapor B2O3 source results in the higher PTCR effect. The interstitial boron ion and/or its complex can act as trap center and enhance the PTCR effect of the ceramics.

    參考文獻(xiàn)
    相似文獻(xiàn)
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引用本文

齊建全 李龍土 桂治輪.鈦酸鋇中的硼間隙及其對PTCR效應(yīng)的影響[J].稀有金屬材料與工程,2004,33(3):251~253.[Qi Jianquan, Li Longtu, Gui Zhilun. Boron Interstitial in BaTiO_3 and Its Influence on PTCR Effect[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2004,33(3):251~253.]
DOI：[doi]

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  • 最后修改日期:2002-08-02
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