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磁控濺射PtSi／p-Si納米薄膜組織結(jié)構(gòu)的研究
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TN304

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Struture of PtSi/p-Si Nanometer Films Prepared by Sputtering
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    摘要:

    采用磁控濺射方法在p-Si(111)襯底上淀積5nmPt膜，分別在350℃-600℃退火。原子力顯微鏡(AFM)觀察和x射線光電子譜(XPS)分析表明，隨退火溫度的增加，平坦的薄膜表面變得粗糙，其相分布由Pt-Pt2Si-Ptsi變?yōu)镻t Pt2Si PtSi-Ptsi。

    Abstract:

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引用本文

殷景華 蔡偉 李美成 趙連城.磁控濺射PtSi／p-Si納米薄膜組織結(jié)構(gòu)的研究[J].稀有金屬材料與工程,2003,(9):707~710.[Yin Jinghua, Cai Wei, Li Meicheng, Zhao Liancheng . Struture of PtSi/p-Si Nanometer Films Prepared by Sputtering[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2003,(9):707~710.]
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歷史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2002-03-01
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