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襯底對(duì)銦凸點(diǎn)織構(gòu)的影響研究
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TG113

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國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目《高密度封裝和互連材料》(69836030)資助


Effect of Substrate on the Texture of Indium Bumps
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    摘要:

    為研究襯底材料對(duì)所濺射的銦織構(gòu)模式的影響，選用UBM(Under Bump Metallization)膜、InSb單晶和無定形PR(光刻膠)3種不同襯底材料磁控濺射銦，實(shí)驗(yàn)對(duì)比了3種襯底材料對(duì)銦織構(gòu)的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：銦的織構(gòu)模式基本不受襯底材料的影響，其織構(gòu)模式主要為強(qiáng)(101)絲織構(gòu)和弱的(110)絲織構(gòu)。這證明了銦的織構(gòu)形成機(jī)理是典型的生長競(jìng)爭機(jī)制。

    Abstract:

    To study the effect of substrate materials on the texture of magnetron sputtered indium, the UBM(Under Bump Metallization) of Cr/Au film, single crystal (111) InSb and amorphous photoresist were employed as substrate materials. The results indicate that the patterns of the indium textures are almost independent of the substrate materials, and the texture components consist of a strong (101) fiber texture and a weak (110) fiber texture. The texture mode proves that the texture forming mechanism of indium is a growth competition phenomenon.

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引用本文

劉豫東 崔建國 馬莒生.襯底對(duì)銦凸點(diǎn)織構(gòu)的影響研究[J].稀有金屬材料與工程,2003,(8):596~599.[Liu Yudong, Cui Jianguo, Ma Jusheng. Effect of Substrate on the Texture of Indium Bumps[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2003,(8):596~599.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2002-09-26
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