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高傳輸臨界電流密度MgB_2超導(dǎo)帶制備方法
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    有關(guān)薄膜的研究報道指出，MgB２薄膜在磁場下具有較高的Hc２和Jc值。過去有關(guān)薄膜的研究雖然不少，但都是使用陶瓷基底。最近日本材料科學(xué)研究所超導(dǎo)材料中心用氣相沉積法在可彎曲的金屬基帶上制備了具有高臨界電流密度的MgB２超導(dǎo)帶。實驗中用尺寸為４mm×３０mm×０．３mm的Hastelloy（C－２７６）為基底，用偏置濺射技術(shù)先涂敷１層１μm厚的YSZ，然后再用脈沖激光技術(shù)沉積MgB２薄膜。沉積MgB２薄膜時，用KrF激光器，每脈沖４００mJ，５Hz下運行。將MgB２粉和Mg粉（純度９９．９％）混合壓片制作了富鎂的靶。Mg與B的摩爾比為１…

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引用本文

劉春芳.高傳輸臨界電流密度MgB_2超導(dǎo)帶制備方法[J].稀有金屬材料與工程,2003,(3).[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2003,(3).]
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