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近期超導(dǎo)電性研發(fā)亮點(diǎn)(Ⅰ)
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O511 TM26

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    摘要:

    MgB2的發(fā)現(xiàn)和發(fā)展Tc為40K的新金屬間化合物超導(dǎo)體MgB2超導(dǎo)電性的發(fā)現(xiàn)是全球超導(dǎo)界2001年最重要的事件。涂層導(dǎo)體雖然米級(jí)的涂層超導(dǎo)體的Jc還達(dá)不到1MA/cm2,但世界各實(shí)驗(yàn)室研制涂層超導(dǎo)體的性能和長度都大有長進(jìn)。日本藤倉制成30m長帶,Jc達(dá)1MA/cm2(在IBAD上),德國最近用激光沉積制成10m長3.5mm寬帶,Ic78A,Jc達(dá)2.23MA/cm2(77K,自場),目標(biāo)為1年半后制出80m~100m涂層導(dǎo)體。美國LANL和ORNL投資600萬美元,計(jì)劃在2003年生產(chǎn)100m帶,2004年有超導(dǎo)變壓器和發(fā)電機(jī)樣機(jī)產(chǎn)…

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引用本文

汪京榮.近期超導(dǎo)電性研發(fā)亮點(diǎn)(Ⅰ)[J].稀有金屬材料與工程,2003,(2):107.[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2003,(2):107.]
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