TM26
自發(fā)現(xiàn)具有39 K轉(zhuǎn)變溫度的MgB_2超導(dǎo)體之后,人們很快便開始研究將它制作成能實用化的超導(dǎo)材料。到目前為止,在所有報道的數(shù)據(jù)中,用先位法(ex situ)工藝制作的鐵殼和鎳殼單芯MgB_2超導(dǎo)體具有最高的臨界電流密度。在4.2 K,零場下,外推的短試樣臨界電流密度為10~6 A·cm~(-2)。開發(fā)MgB_2超導(dǎo)體的主要關(guān)鍵點在于,首
劉春芳.單芯MgB2超導(dǎo)帶的制備和特性[J].稀有金屬材料與工程,2003,(10):782.[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2003,(10):782.]DOI:[doi]
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