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AlN壓電薄膜材料研究進展
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TB43

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教育部骨干教師資助計劃項目,山西省青年科技研究基金(20011011)聯合資助


The Research Progress of AlN Piezoelectric Thin Films
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    摘要:

    AlN壓電薄膜材料具有許多優(yōu)異的物理化學性質,本文對該薄膜材料的發(fā)展,結構特征,制備方法進行了綜述,并對其應用前景進行了展望。

    Abstract:

    AlN piezoelectric film has a lot of excellent physical chemistry properties.This discussion focus on the str uctural characters,pre-pared methods and applied prospect o f AlN piezoelectric films.

    參考文獻
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    引證文獻
引用本文

許小紅 武海順 等. AlN壓電薄膜材料研究進展[J].稀有金屬材料與工程,2002,(6):456~459.[Xu Xiaohong, Wu Haishun, Zhang Fuqiang, Duan Jingfang, Li Zuoyi . The Research Progress of AlN Piezoelectric Thin Films[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2002,(6):456~459.]
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  • 最后修改日期:2001-07-06
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