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Si（100）上異質(zhì)外延金剛石膜生長及其應(yīng)用研究
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中圖分類號(hào):

TN304.12 TN304.18

基金項(xiàng)目:

國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(50005027)


Growth of Heteroepitaxial Diamond Films on Si(100) and Its Applications
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    摘要:

    利用負(fù)襯底偏壓和發(fā)射電子增強(qiáng)核化的方法，通過微波等離子體和熱燈絲CVD法在Si(100)上合成出了高度定向的異質(zhì)外延金剛石膜。并利用冷離子注入和快速退火處理完成P型摻雜異質(zhì)外延金剛石膜的制作，研制出高靈敏度的壓阻和磁阻傳感器件。試驗(yàn)結(jié)果表明，這些器件不僅具有高靈敏度，而且在高溫、高輻射和強(qiáng)化學(xué)腐蝕的環(huán)境下仍能正常工作。

    Abstract:

    Heteroepitaxial diamond films were grown on Si(100) via electron emission with a bias voltage, by using microwave plasma CVD and hot filament CVD. The piezoresistivity and magnetoresistivity of p type diamond films obtained by the cold implantation and rapid annealing have been investigated.The experimental results show that epitaxial diamond films have pronounced piezoresistivity and magnetoresistivity effect and can still be operated under extreme conditions such as high temperature, heavy radiation and a strong chemical corrosive environment

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引用本文

王蜀霞. Si（100）上異質(zhì)外延金剛石膜生長及其應(yīng)用研究[J].稀有金屬材料與工程,2001,(6):440~443.[Wang Shuxia. Growth of Heteroepitaxial Diamond Films on Si(100) and Its Applications[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2001,(6):440~443.]
DOI：[doi]

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  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2000-12-01
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