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氮化鋁薄膜結(jié)構(gòu)和表面粗糙度的研究
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中圖分類號(hào):

TN304.9 TB43

基金項(xiàng)目:

國(guó)家自然科學(xué)基金!(2 97410 0 4)，山西省自然科學(xué)基金


Studies of the Structure and Surface Roughness of AlN Thin Films
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    摘要:

    采用直流磁控濺射的方法，在Ｓｉ（１１１）基片上沉積ＡＩＮ（１００）面擇優(yōu)取向薄膜，研究了濺射功率對(duì)ＡＩＮ薄膜結(jié)構(gòu)及表面粗糙度的影響。結(jié)果表明，隨著濺射功率的增加，沉積速率增大，但薄膜結(jié)構(gòu)擇優(yōu)取向度變差，表面粗糙度增大，這說明要制備擇優(yōu)取向良好、表面粗糙度小的ＡＩＮ薄膜，需選擇較小的濺射功率。

    Abstract:

    The AlN thin films with preferred orientation were deposited on Si(111) substrates using magnetron reactive sputtering. The effect of sputtering power on surface roughness and structure of the AlN thin films has been investigated. The experimental results indicate that as sputtering power increases, deposited rate also increases, but surface roughness and preferred orientation degree of AlN thin films become bad. Therefore, lower sputtering power should be chosen for preparing AlN thin films of good quality.

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引用本文

許小紅 武海順.氮化鋁薄膜結(jié)構(gòu)和表面粗糙度的研究[J].稀有金屬材料與工程,2000,(6):394~397.[Xu Xiaohong, Wu Haishun, Jin Zhihao. Studies of the Structure and Surface Roughness of AlN Thin Films[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2000,(6):394~397.]
DOI：[doi]

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