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稀土材料La—Ba—（Mn,Fe）—O的磁電輸運特性探討
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TM27

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國家自然科學基金!資助項目 (5 9772 0 40 )


Investigation of Magneto-Electronic Transport Behavior in La-Ba-(Mn,Fe)-O Ceramics
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    摘要:

    研究制備了Ｌａ０．６７Ｂａ０．３３Ｍｎ１－ｘＦｅｘＯ３（ｘ＝０，０．０５，０．１）材料。結果表明：鐵替換錳降低了材料的飽和磁化強度及居里溫度，主要是因為Ｆｅ離子不參加雙交換作用，同時Ｍｎ＾３＋－Ｏ＾３－Ｍｎ＾４＋的作用對隨鐵離子替代Ｍｎ＾３＋而數(shù)量減少，材料的鐵磁作用隨之減弱。鐵替換降低了金屬－半導體轉換峰溫度，相應提高了材料的零場電阻值。值得注意的是鐵摻雜提高了大磁阻材料Ｌａ０．６７Ｂａ０．３３Ｍｎ１－ｘＦｅｘＯ３的低溫性能，５Ｋ下磁阻比「Ｒ（６Ｔ）－Ｒ（０）」Ｒ（０）從ｘ＝０時的－４０％增加到ｘ＝０．１時的－６０％。本文同時利用迪尼模型對材料大磁阻效應進行了計算分析，發(fā)現(xiàn)理論計算曲線可以較好的反映實驗上出現(xiàn)的金屬－半導體轉換峰現(xiàn)象，同時負的大磁阻效應現(xiàn)象也可從理論計算上得到證實。

    Abstract:

    Rare earth ceramics, La 0 67 Ba 0 33 Mn 1- x Fe x O 3( x =0,0 05,0 1), has been prepared. The saturation magnetization and Curie temperature decrease with increasing Fe content in the compounds La 0 67 Ba 0 33 Mn 1- x Fe x O 3,since Fe does not participate in double exchange interaction and the amount of bond Mn 3+ O 2 Mn 4+ decreases. The ferromagnetic interaction decreases with Fe doping in the compounds La 0 67 Ba 0 33 Mn 1 x Fe x O 3. Fe doping also dereases the transition temperature of the metal semiconductor transition peak and increases the resistance of La 0 67 Ba 0 33 Mn 1 x Fe x O 3. The colossal magneloresistance(CMR) effect at low temperatures has been improved for doped La 0 67 Ba 0 33 Mn 1 x Fe x O 3. The magnetoresistance ratio [ R (6T) R (0)]/ R (0) changes from 40% to 60% with increasing Fe content from x=0 to x=0 1 . The results also show that the metal semiconductor transition peak and the negative CMR effect are well described by the Dionne model.

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引用本文

胡季帆 王亦忠.稀土材料La—Ba—（Mn, Fe）—O的磁電輸運特性探討[J].稀有金屬材料與工程,2000,(6):374~377.[Hu Jifan, Qin Hongwei, Zhao Wenjin, Ji Chengjie, Mei Liangmo, Wang Yizhong, Wang Zhenxi. Investigation of Magneto-Electronic Transport Behavior in La-Ba-(Mn, Fe)-O Ceramics[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2000,(6):374~377.]
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