摘要:在過去 10年里 ,氮化硅 ( Si3N4 )陶瓷被廣泛地研究 ,以改善其室溫和高溫性能。通過微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) ,已使這種陶瓷的室溫破斷抗力提高到 10 MPa· m1/ 2 以上 ,斷裂強(qiáng)度大于 1GPa。目前 ,Si3N4 陶瓷研究的最新趨勢之一是納米顆粒彌散強(qiáng)化。最近 ,已將多種技術(shù)應(yīng)用于制備氮化硅 /碳化硅 ( Si3N4 / Si C)納米復(fù)合材料 ,致使其高溫性能得到了改善。斷裂韌性是限制結(jié)構(gòu)陶瓷廣泛應(yīng)用的主要機(jī)械性能之一。人們?cè)谶@個(gè)領(lǐng)域的研究主要集中在以下兩個(gè)方面 :測量臨界應(yīng)力強(qiáng)度因子 ( KIC)的可靠而簡單的方法的研究和微觀特性與室溫 /高溫?cái)嗔秧g性之…