摘要:人們對銅在酸性溶液中的電化學(xué)行為及銅晶粒的生長已作了廣泛的研究工作 ,但文獻(xiàn)對電解生產(chǎn)銅箔和薄膜的工藝報道很少。雖然生產(chǎn)銅箔和薄膜與其它電沉積銅的基本原理一致 ,但具體工藝參數(shù)卻相差很大。因而本研究用電化學(xué)技術(shù)來研究在較高負(fù)極過電位及高銅離子濃度下 ,銅在鈦上的成核和生長過程 ;討論了整個過程的控制因素 ;用 SEM技術(shù)對銅沉積表面進(jìn)行了對比研究。實(shí)驗(yàn)采用帶有控溫及攪拌裝置的 2 50 ml的燒杯為電解槽 ,以鈦為工作電極 ,銅為輔助電極 ,電極工作面積為 1cm2 ,以 Hg/ Hg2 SO4 電極為參比電極 (+6 50 m V vs.SHE) ;試驗(yàn)…