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反應燒結碳化硅陶瓷的高溫氧化行為研究
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TQ174.758

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國家自然科學基金!資助項目 (批準號 :5 9772 0 13 )


High Temperature Oxidation Kinetics of Reaction Bonded Silicon Carbide
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    研究了反應燒結碳化硅陶瓷在１３００℃空氣中的高溫氧化行為。結果表明：高溫氧化過程中在試樣表面出現(xiàn)的非晶態(tài)ＳｉＯ２晶化以及氧化膜起裂，使得該陶瓷氧化曲線遵循對數(shù)氧化規(guī)律。

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引用本文

黃清偉 高積強.反應燒結碳化硅陶瓷的高溫氧化行為研究[J].稀有金屬材料與工程,2000,(1):32~34.[Huang Qingwei, Gao Jiqiang, Jin Zhihao. High Temperature Oxidation Kinetics of Reaction Bonded Silicon Carbide[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2000,(1):32~34.]
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