最新色国产精品精品视频,中文字幕日韩一区二区不卡,亚洲有码转帖,夜夜躁日日躁狠狠久久av,中国凸偷窥xxxx自由视频

+高級(jí)檢索
鎳元素對(duì)反應(yīng)燒結(jié)碳化硅導(dǎo)電性的影響
DOI:
作者:
作者單位:

作者簡(jiǎn)介:

通訊作者:

中圖分類號(hào):

TQ174.758

基金項(xiàng)目:

國(guó)家自然科學(xué)基金


Effect of Nickel on the Conductivity of Reaction Bonded SiC
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 圖/表
    • |
  • 訪問(wèn)統(tǒng)計(jì)
    • |
  • 參考文獻(xiàn)
    • |
  • 相似文獻(xiàn)
    • |
  • 引證文獻(xiàn)
    • |
  • 資源附件
    • |
  • 文章評(píng)論
    摘要:

    研究了鎳對(duì)反應(yīng)燒結(jié)碳化硅導(dǎo)電性的影響，結(jié)果表明，隨含鎳量的增加，反應(yīng)燒結(jié)碳化硅的電阻率降低，隨測(cè)試溫度提高，含鎳的碳化硅雖呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)，但幅度減小，９００℃保溫，隨時(shí)間延長(zhǎng)，電阻率幾乎不變，這說(shuō)明鎳可改善反應(yīng)燒結(jié)碳化硅的導(dǎo)電特性，同時(shí)還分析了鎳的存在方式及其相結(jié)構(gòu)。

    Abstract:

    The effect of nickel on the conductivity of reaction*4]bonded SiC is studied. The results show that the resistivity of reaction bonded SiC decreases with increase of nickel content The Ni doped SiC has negative temperature coefficient of resistivity. The resistivity of SiC is almost constant with holding time at 900. The results above show that the resistivity of reaction bonded SiC can be improved through adding nickel. The microstructure of the Ni doped SiC is studied in detail.

    參考文獻(xiàn)
    相似文獻(xiàn)
    引證文獻(xiàn)
引用本文

呂振林 熊流峰.鎳元素對(duì)反應(yīng)燒結(jié)碳化硅導(dǎo)電性的影響[J].稀有金屬材料與工程,1999,(3):176~178.[Lu Zhenlin, Xiong Liufeng, Gao Jiqiang, Jin Zhihao. Effect of Nickel on the Conductivity of Reaction Bonded SiC[J]. Rare Metal Materials and Engineering,1999,(3):176~178.]
DOI：[doi]

復(fù)制
文章指標(biāo)
  • 點(diǎn)擊次數(shù):
  • 下載次數(shù):
  • HTML閱讀次數(shù):
  • 引用次數(shù):
歷史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 錄用日期:
  • 在線發(fā)布日期:
  • 出版日期: