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本文介紹了用碳還原二氧化硅氮化法制取高質(zhì)量Si_3N_4粉末的工藝過(guò)程,討論了加熱溫度、反應(yīng)時(shí)間、氮?dú)饬魉俸头磻?yīng)物濃度及添加劑對(duì)所獲得的Si_3N_4粉末相的影響。結(jié)果表明,過(guò)量的碳能有效地控制SiO的揮發(fā),提高氮化速度和氮化率。添加劑可以有效地限制β-Si_3N_4相的生成。一定的溫度是反應(yīng)進(jìn)行的保證,足夠的時(shí)間是充分反應(yīng)的條件,氮?dú)饬魉偈堑那疤帷Ｈ绻麌?yán)格控制這些工藝條件和影響因素,就可以獲得高α相含量的Si_3N_4粉末。