摘要:為了用高溫退火和自電阻加熱工藝生產(chǎn)大尺寸和可選擇形狀的鉬單晶,研究了摻雜元素對二次晶粒長大行為的影響和反常晶粒長大的機(jī)制。結(jié)果發(fā)現(xiàn),一定數(shù)量的CaO和/或MgO作為加工鉬晶粒長大行為的抑制劑是有效的:最初,CaO或MgO在原有再結(jié)晶晶粒邊界上析出,抑制了正常的晶粒長大,相反,當(dāng)它們在較高的溫度下分解為單個元素時則容許反常的晶粒長大。所以,容易由熱加工的鉬材制取10×40×200毫米的大尺寸單晶片,彎曲角約為70°的、2毫米厚的彎曲單晶片,φ5×210毫米的單晶棒和尺寸為16(外徑)×9(內(nèi)徑)×200(長