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Nb—Ti及其合金的上臨界磁場(chǎng)和高場(chǎng)臨界電流密度的進(jìn)一步研究
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    摘要:

    本報(bào)告敘述的工作是研究通過加入合金元素來提高Nb—Ti上臨界磁場(chǎng)的可能性,該研究屬于12T磁體計(jì)劃的內(nèi)容。以前,我們?cè)l(fā)表過這方面初期工作的報(bào)道。在本文的第一部分將報(bào)道Nb—Ti—Ta和Nb—Ti—Hf系合金之Hc_2的進(jìn)一步測(cè)量結(jié)果。盡管發(fā)現(xiàn)這些合金的μ_oHc_2(4.2k)比二元合金NbTi僅高～0.3T,即提高很少;然而,在很寬的Nb—Ti—Ta合金成份范圍內(nèi),2k下的μ_oHc_2(2k)超過15T,其最大值達(dá)15.5T,這意味著比未合金化的Nb—Ti提高1.3T。相比之下,Nb—Ti—Hf系合

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引用本文

D. C. Hawkswcrfh, D. C. Larbalestier,李成仁. Nb—Ti及其合金的上臨界磁場(chǎng)和高場(chǎng)臨界電流密度的進(jìn)一步研究[J].稀有金屬材料與工程,1981,(3).[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,1981,(3).]
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