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V_3Ga 和 Nb_3Sn 多芯超導(dǎo)體的脈沖磁場損耗和臨界電流密度
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    過去,許多 A15超導(dǎo)體交流損耗的研究都是在場強(qiáng)最大為幾千高斯的磁場下進(jìn)行的,因?yàn)槿藗儗?A15超導(dǎo)體在能量傳送線方面的應(yīng)用更感興趣。在這里超導(dǎo)體只暴露于傳導(dǎo)電流的自場中。擴(kuò)散技術(shù)是制造 A15多芯超導(dǎo)體的一種方法,人們對于它們在場強(qiáng)大于10萬高斯的磁場中,并且在有磁場隨時間變化的分量存在情況下的應(yīng)用,特別感興趣。本報(bào)導(dǎo)將提到在托卡馬克核聚變磁體中,Nb_3Sn 或 V_3Ga 優(yōu)于 NbTi 材料。這首先表現(xiàn)在它們具有較高的 Tc(H)值,即有較高的防止熱擾動的穩(wěn)定性。而且,希望擴(kuò)散反應(yīng)的方法能夠?qū)е峦?/p>

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引用本文

K. Kwasnitza, D. Salathe, D. G. Howe, D. U. Gubser,麻文明. V_3Ga 和 Nb_3Sn 多芯超導(dǎo)體的脈沖磁場損耗和臨界電流密度[J].稀有金屬材料與工程,1980,(6).[.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,1980,(6).]
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