摘要:利用微弧氧化(MAO)技術在TC4鈦合金表面原位制備陶瓷膜層,并通過硅酸鈉水溶液對膜層進行了封孔處理。采用X射線衍射儀(XRD)分析了膜層相組成,通過掃描電子顯微鏡(SEM)觀察了膜層表面形貌。通過粘結(jié)拉伸測試,比較了膜層在封孔前后與基體的結(jié)合強度。利用高溫氧化實驗,考察了TC4基體及膜層試樣封孔前后的抗高溫氧化性能。結(jié)果表明:微弧氧化膜層與基體間的結(jié)合強度較高,經(jīng)封孔處理及高溫氧化100 h后,膜基結(jié)合強度降低至4.29 MPa。與TC4基體相比,微弧氧化膜層的高溫氧化增重量小,抗高溫氧化性能得到了顯著的提高。封孔處理提高了微弧氧化膜層的致密性,使其能更好地阻止氧透過膜層向基體內(nèi)侵入,進一步提高了膜層的抗高溫氧化性能。