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電壓對TC4鈦合金表面微弧氧化膜層紅外發(fā)射率的影響
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    在硅酸鹽、磷酸鹽及高錳酸鉀的混合電解液中研究了不同電壓對TC4鈦合金微弧氧化膜層性能的影響,通過掃描電鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)和X射線光電子能譜(XPS)分析了膜層的微觀形貌、相組成及化學成分,用傅里葉變換紅外光譜儀測試了樣品的紅外發(fā)射率。結(jié)果表明,隨著電壓的升高,膜層的厚度、粗糙度及紅外發(fā)射率持續(xù)增加,膜層中Ti O2與Ti的特征峰逐漸減弱,非晶相成為主要的組成部分。結(jié)合XRD與XPS分析結(jié)果可推斷膜層中主要元素Si、P、Mn均以非晶態(tài)存在。當電壓為540 V時膜層發(fā)射率有較大幅度的增加并達到最大,在8-20μm的波段范圍內(nèi)平均發(fā)射率可達0.84。

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引用本文

高廣睿;厲英;呼丹;吳宗海;李超眾;李爭顯;奚正平.電壓對TC4鈦合金表面微弧氧化膜層紅外發(fā)射率的影響[J].鈦工業(yè)進展,2018,35(1).

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  • 在線發(fā)布日期: 2021-05-06
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