4 0 %時(shí) ,V的電子電荷和原子半徑同時(shí)起著顯著作用。這些因素使晶胞參數(shù)c先變小后變大 ,而a則一直減小 ,這導(dǎo)致晶格中A ,B層的間距增大 ,層間的相互作用被削弱 ,因而使c軸方向上的晶格畸變加大。隨著V含量的增加 ,單胞體積呈下降趨勢 ,但在V為 5 %~ 7 5 %之間有一平臺區(qū)。 ( 0 0 2 )和 ( 10 3 )晶面半高寬的異常增大則是由于不同相結(jié)構(gòu)衍射角相近 ,且相應(yīng)衍射面晶格畸變加大等因素綜合作用的結(jié)果。"/>

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TiV合金中釩原子的行為研究
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中圖分類號:

TG139.7 TG146.23

基金項(xiàng)目:

中國工程物理研究院 2所基金資助


Study of Behavior of Vanadium Atom in TiV Alloy
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    摘要:

    為了改善鈦金屬的儲氫和保持惰性氣體的綜合性能并增加其抗氫脆能力 ,使用合金化手段引入合金元素釩 ,用XRD仔細(xì)分析了所制取的不同釩含量的合金。通過對XRD結(jié)果的分析發(fā)現(xiàn)釩原子進(jìn)入鈦晶格后 ,當(dāng)V <4 0 %時(shí) ,合金晶胞參數(shù)a ,c的變化主要是V的原子半徑起作用 ;V >4 0 %時(shí) ,V的電子電荷和原子半徑同時(shí)起著顯著作用。這些因素使晶胞參數(shù)c先變小后變大 ,而a則一直減小 ,這導(dǎo)致晶格中A ,B層的間距增大 ,層間的相互作用被削弱 ,因而使c軸方向上的晶格畸變加大。隨著V含量的增加 ,單胞體積呈下降趨勢 ,但在V為 5 %~ 7 5 %之間有一平臺區(qū)。 ( 0 0 2 )和 ( 10 3 )晶面半高寬的異常增大則是由于不同相結(jié)構(gòu)衍射角相近 ,且相應(yīng)衍射面晶格畸變加大等因素綜合作用的結(jié)果。

    Abstract:

    參考文獻(xiàn)
    相似文獻(xiàn)
    引證文獻(xiàn)
引用本文

. TiV合金中釩原子的行為研究[J].鈦工業(yè)進(jìn)展,2004,21(3):20-23.

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  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2003-07-28
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