4 0 %時(shí) ,V的電子電荷和原子半徑同時(shí)起著顯著作用。這些因素使晶胞參數(shù)c先變小后變大 ,而a則一直減小 ,這導(dǎo)致晶格中A ,B層的間距增大 ,層間的相互作用被削弱 ,因而使c軸方向上的晶格畸變加大。隨著V含量的增加 ,單胞體積呈下降趨勢 ,但在V為 5 %~ 7 5 %之間有一平臺區(qū)。 ( 0 0 2 )和 ( 10 3 )晶面半高寬的異常增大則是由于不同相結(jié)構(gòu)衍射角相近 ,且相應(yīng)衍射面晶格畸變加大等因素綜合作用的結(jié)果。"/>
. TiV合金中釩原子的行為研究[J].鈦工業(yè)進(jìn)展,2004,21(3):20-23.
復(fù)制